TGV 填充方案流程

对于 TGV 填充技术来说，类似硅通孔的金属填充方案可以应用在 TGV 金属填充中。主要有两种方案:

①通过物理气相沉积(PVD)的方法在先前制备 TGV 盲孔内部沉积种子层，随后自底向上电镀，实现 TGV 的无缝填充:最后，通过临时键合,背面研磨、化学机械抛光(CMP)露铜，解键合之后便形成 TGV 金属填实转接板；

②利用金属导电胶进行 TGV 填实，但是该方法导电胶的电性能比较差，阻碍了其在高频电子器件或电子系统的应用。在填充技术中，金属层的接触和浇筑部分对于整体基板导通性能影响显著。目前企业都使用金属铜来作为连接材料，而连接过程和合成过程的良率都是亟需解决的问题。