• 光刻晶圆

    技术规格 制程 能力及精度 光刻胶涂布 旋涂 胶厚精度≤3%(适用于平面) 光刻胶涂布 喷涂 胶厚精度≤10%(适用于平面/凹凸面) 光刻 精度 2um套准精度:0.15um 显影 精度2um显影均匀性<5% 蚀刻 尺寸散差 ±1um

    光刻晶圆, 半导体应用 2024 年 10 月 13 日